Fiche technique
16-Bit; 3 MSPS
Differential Input
Parallel / Serial ; 86 mW
Fiche technique
12-Bit ; 2-MSPS
SAR ; Single Ended
SPI ; 1.38mW
Fiche technique
16-Bit; Ext. Vref
1 µs settling time
2.5 Vp-p Vout
SPI ; 15 µW
Fiche technique
12-Bit ; SPI
±15 V ext. Vref
0.2 µs settling time
Unbuffered current Out
Fiche technique
16-Bit; Dual
2-MSPS; SAR ; SPI
Differential Input
Fiche technique
12-Bit; 8-Channel
1-MSPS; Single Ended
SPI ; 1.38mW
Fiche technique
8-Bit ; Octal
6 µs settling time
Rail-to-Rail Out
2-Wire ; 24 mA Icc
Fiche technique
"Dual; 14-Bit; 65 MSPS
Serial CMOS Input"
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
Vcc from 5 V to 10 V
Rail-to-rail out
145 MHz ; 180 V/µs
7 nV/√Hzn ; 0.6 fA/√Hz
Fiche technique
Up to 26 V vcc
Rail-to-rail out
Up to 1pA Ib
Up 0.75 mV Vos
2 V/µS ; 2.5 MHz
Fiche technique
Vcc from 3 V to 30 V ; Rail-to-Rail In/Out
0.3 V/µs ; GBP =0.6 MHz; Ib ± 10nA
Fiche technique
Vcc from 2.7 V to 12 V ; Rail-to-Rail In/Out
2.7Mhz ; +1 V/µs ; 0.75 mA / Amp IC
Fiche technique
Dual ; 325 μV Vos
2.7 V to 12 V Vcc
Rail-to-Rail Out
15Mhz ; 13 V/μs
9.5 nV/√Hz
Fiche technique
Quad ; 325 μV Vos
2.7 V to 12 V Vcc
Rail-to-Rail Out
15Mhz ; 13 V/μs
9.5 nV/√Hz
Fiche technique
3 V to 5 V Vcc
3 GHz ; 830 V/µs
2.8 nV/Hz
Fiche technique
-16 V to +80 V V cm
Up to 18 V Vcc
Jusqu’à 1 mA Icc
Fiche technique
-4 V to +110 V V cm
Up to 20 V Vcc
Up to 2,25 mA Iq
Fiche technique
Dual ; 0.4mV Vos
4V to 40V Vcc
Rail-to-Rail In to V-
1.7Mhz ; 0.5 V/μs
Fiche technique
-4 V to +110 V V cm
50 V/V Gain
Up to 20 V Vcc
Up to 2,25 mA Iq
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
Vcc from 3 V to 36 V ; I cc 0.8 mA (Typ)
25 nA Ib ; 2 mV Vos
Fiche technique
2 Chan ; Up to 36 V Vcc
I cc Typ 0.01 mA
15 nA Ib ; 2.5 mV Vos
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 40 hFE min
0.2 W Max Ptm
Fiche technique
-100 V ; -33,5 A ; 60 mOhm
Fiche technique
-80 V ; -50 A ; 31 mOhm
Fiche technique
-200 V ; -3.8 A ; 180 mOhm
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 100 hFE min
0.15 W Max Ptm
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
2N2907 equivalent
Up to 100 hFE min
0.64 W Max Ptm
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
4 A IC
Up to 300 hFE
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 60 hFE min
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
1 A IC
Up to 500 hFE
Fiche technique
-30V ; 0.065Ω ; -4.1A
Fiche technique
-20V ; 0.005Ω ; -20A
Fiche technique
-30V ; 0.021Ω ; -8A
Fiche technique
-20V ; 0.056Ω ; -4.9A
Fiche technique
-200 V ; - 26A ; 170 mOhm
Fiche technique
150 V; 48A; 6mΩ
Fiche technique
150V; 7.2mΩ; 100A
Fiche technique
120V; 11.1mΩ; 70A
Fiche technique
30 V V(BR)CEO
0.5 A IC
540 MHz fT
Up to 800 hFE
Fiche technique
"150 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 180 hFE"
Fiche technique
"150 V V(BR)CEO
1 A IC
Up to 250 hFE"
Fiche technique
30V ; 0.058Ω ; 3.9A
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
Fixed V OUT of 2.5 V
Max 5 mV drift
3 ppm/°C
Fiche technique
Fixed V OUT of 2.5 V
Max 0.65 % V OUT drift
100 ppm/°C
Fiche technique
3.6 to 33 V V in
0.8 V to 30 V Vout
3.5 A Iout
Adjust. Fosc up to 2.4 MHz
Fiche technique
2.34 V to 6.6 V V In
0.6 V to 6.12 V V Out
Up to 6 A I OUT
Up to 4 MHz FOsc
Int/Ext Clock
Fiche technique
4.5 V TO 26 V Vin
0.92 V TO 23 V Vout
Up to 2 A I OUT
Fixed 340 kHz Fosc
Fiche technique
1.5 A IOUT
340 mV V DO
Adjust. V Out up 20 V
Fiche technique
2.4 A I OUT
4.5 V to 15 V V cc
V out up to 28 V
3 mA I cc
50 ns Rise / Fall Time
Fiche technique
8 V to 40 V VCC ; 50 % Max Duty Cycle ;
Up to 1 MHz ;Current Mode up to 1.5 A Gate Drive
Fiche technique
3.5 to 33 V V in
0.8 V to 36 V Vout
4 A Iout
Adjust. Fosc up to 0.6 MHz
Fiche technique
2.5 to 5.5V V in
Up to 28V Overvoltage Protection
1.5A Overcurrent Protection
130ms start-up delay
Fiche technique
Up to 30V VCC
100 % Max Duty Cycle
Up to 0.5MHz
Up to 1A Gate Drive
Fiche technique
2.5 V to 36 V VIN
2.495V fixed Vout
0.5% initial accuracy
Fiche technique
From 7V to 90V VIn
0.05A IOUT
290mV V DO
Adjust. VOut up 90 V
Fiche technique
3.5 to 60 V V in
1 V to 57 V Vout
3.5 A Iout
Adjust. Fosc up to 2.2 MHz
Fiche technique
9 A I OUT
4.5 V to 15 V V cc
V out up to 28 V
Enable control
Fiche technique
1.5 A IOUT
340 mV V DO
Adjust. V Out up 20 V
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
256Mb
3.3 V Typ VCC
Serial interface
Fiche technique
256Mb
3.3 V Typ VCC
Serial interface
Fiche technique
12 Mb
3.3 V Typ VCC
Serial interface
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
4 Chan. ; tpd > 50 ns
Up to 18 V Vcc
Up to 0.6 µA Icc
Fiche technique
2 Chan. ; tpd > 5.6 ns
Up to 5.5 V Vcc
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
2 Chan. Set and reset option
Positive edge-trigger
Up to 6 V Vcc
Up to 40 µA Icc
Fiche technique
tpd < 5.6 ns
Up to 5.5 V Vcc
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
4 Chan. ; tpd > 16 ns
Up to 6V Vcc
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
4 Chan. ; tpd > 30 ns
Up to 15V Vcc
Up to 30 µA Icc
Fiche technique
Binary counter 14 Bits
47 MHz Count Rate
Up to 5.5V Vcc
Fiche technique
| 4 Chan. ; tpd < 30 ns Up to 18V Vcc Up to 30 µA Icc |
Fiche technique
"4 Chan. ; tpd > 30 ns
Up to 18V Vcc
Up to 30 μA Icc"
Fiche technique
2 Chan. ; tpd > 5.6 ns
Up to 5.5 V Vcc
Up to 10 µA Icc
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
4:1 Transceiver
125 Mbps
3.3 V Vcc Typ
35 mA Icc
Fiche technique
1:4 Transceiver
125 Mbps
3.3 V Vcc Typ
25 mA Icc
Fiche technique
RS485 ; 3.3V ; 0.5Mbps
Fiche technique
1:1 Transceiver
Half duplex
1Mbps; 3.3V
Fiche technique
RS485 ; 5.5V
Half and full duplex config
Up to 20 Mbps
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
2:1 SPDT
Up to 5.5 V Vcc
300 MHz Bandwidth
6 Omhs Ron Typ
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
Quad;
Up to 5.5 V Vcc
4 Omhs Ron Max
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
4 Chan. ; 2:1 SPDT
Up to 3.6 V Vcc
5 Omhs Ron Typ
Up to 10 µA Icc
Fiche technique
2 Chan. ; 4:1
Up to 5.5 V Vcc
59 Omhs Ron Typ
Up to 3 µA Icc
Fiche technique
4 Chan ; NO/NC
Up to ±5.5 V Vcc
115 Omhs Ron Max
Up to 1 μA Icc
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
12MHz; 30ppm
3.3V typ
CMOS output
Fiche technique
25MHz; 30ppm
3.3V typ
CMOS output
Fiche technique
40MHz; 30ppm
3.3V typ
CMOS output
Fiche technique
50MHz; 30ppm
3.3V typ
CMOS output
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
2 Chan ; Up to 5.5 V Vcc
Up to 5000 VRMS Isolation Rating
Up to 3mA Icc
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
4 Bits (#)
Up to 3.6 V Vin
Up to 380 Mbps
Fiche technique
6 Bits (#)
Up to 18 V Vin
Up to 24 Mbps
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
Fiche technique
Rail-to-Rail
Up to 5A Iout
Up to 5V Vcc
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
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