Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 40 hFE min
0.2 W Max Ptm
- Sous catégorie
- General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
NPN - Package *
- Nano
- TID [krad]
- 25
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Destructive SEE FREE
- MOQ
- 10
Quantité mini : 10.
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 40 hFE min
0.2 W Max Ptm
Quantité mini : 10.
Fiche technique
-100 V ; -33,5 A ; 60 mOhm
Quantité mini : 3.
Fiche technique
-80 V ; -50 A ; 31 mOhm
Quantité mini : 3.
Fiche technique
-200 V ; -3.8 A ; 180 mOhm
Quantité mini : 3.
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 100 hFE min
0.15 W Max Ptm
Quantité mini : 10.
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
4 A IC
Up to 300 hFE
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
2N2907 equivalent
Up to 100 hFE min
0.64 W Max Ptm
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 60 hFE min
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]