Fiche technique / Composant COTS : PBSS8110
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]
100 V V(BR)CEO
1 A IC
Up to 500 hFE
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
150V; 7.2mΩ; 100A
Fiche technique
-30V ; 0.021Ω ; -8A
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 60 hFE min
Fiche technique
150 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 180 hFE
Fiche technique
-80 V ; -50 A ; 31 mOhm
Fiche technique
2N2907 equivalent
Up to 100 hFE min
0.64 W Max Ptm
Fiche technique
-20V ; 0.056Ω ; -4.9A
Fiche technique
30 V V(BR)CEO
0.5 A IC
540 MHz fT
Up to 800 hFE
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
-20V ; 0.005Ω ; -20A
Fiche technique
30V ; 0.058Ω ; 3.9A
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
Fiche technique
300 V V(BR)CEO
0.5 A IC
Up to 240 hFE
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 100 hFE min
0.15 W Max Ptm
Fiche technique
2N2222 equivalent
Up to 40 hFE min
0.2 W Max Ptm
100 V V(BR)CEO
1 A IC
Up to 500 hFE
