Fiche technique / Composant COTS : BJT 3

Sous catégorie
Darlington Transistors
PNP
Package *
Micro
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10

Composant COTS : BJT 3

30,00 €

100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE

BJT 3
Quantité
Disponible

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BJT 5

BJT 5

Fiche technique

2N2907  equivalent 
Up to 100 hFE min
0.64 W Max Ptm

Sous catégorie
General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
PNP
Package *
Nano
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 12,00 € HT

MOSFET 1

MOSFET 1

Fiche technique

-200 V ; -3.8 A ; 180 mOhm

Sous catégorie
P CHANNEL MOSFET
Package *
Nano
TID [krad]
20
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
SOA (SEGR & PIGS) @ Xe & Rh
MOQ
3
Prix Prix unitaire 30,00 € HT
Disponible

Quantité mini : 3.

BJT 2

BJT 2

Fiche technique

2N2222  equivalent 
Up to 40 hFE min
0.2 W Max Ptm

Sous catégorie
General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
NPN
Package *
Nano
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 12,00 € HT
Disponible

Quantité mini : 10.

MOSFET 2

MOSFET 2

Fiche technique

-80 V ; -50 A ; 31 mOhm

Sous catégorie
P CHANNEL MOSFET
Package *
Nano
TID [krad]
15
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
SOA (SEGR & PIGS) @ Xe
MOQ
3
Prix Prix unitaire 25,00 € HT
Disponible

Quantité mini : 3.

MOSFET 3

MOSFET 3

Fiche technique

-100 V ; -33,5 A ; 60 mOhm

Sous catégorie
P CHANNEL MOSFET
Package *
Nano
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
SOA (SEGR & PIGS) @ Xe
MOQ
3
Prix Prix unitaire 35,00 € HT
Disponible

Quantité mini : 3.

BJT 3

BJT 3

Fiche technique

100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE

Sous catégorie
Darlington Transistors
PNP
Package *
Micro
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 30,00 € HT
Disponible

BJT 1

BJT 1

Fiche technique

2N2222  equivalent 
Up to 100 hFE min
0.15 W Max Ptm

Sous catégorie
General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
NPN
Package *
Nano
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 12,00 € HT
Disponible

Quantité mini : 10.

BJT 6

BJT 6

Fiche technique

80 V V(BR)CEO
4 A IC
Up to 300 hFE

Sous catégorie
General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
PNP
Package *
Micro
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 20,00 € HT
Disponible

BJT 7

BJT 7

Fiche technique

80 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 60 hFE min

Sous catégorie
General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
NPN
Package *
Micro
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 20,00 € HT

BJT 4

BJT 4

Fiche technique

100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE

Sous catégorie
Darlington Transistors
PNP
Package *
Micro
TID [krad]
25
SEL LET th [MeV.cm²/mg]
Destructive SEE FREE
MOQ
10
Prix Prix unitaire 30,00 € HT