Fiche technique
100 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 12.000 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
PNP - Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Catégorie composants COTS: Discrete
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
PNP - Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
4 A IC
Up to 300 hFE
- Sous catégorie
- General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
PNP - Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
80 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 60 hFE min
- Sous catégorie
- General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
NPN - Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
- Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-20V ; 0.005Ω ; -20A
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-200 V ; - 26A ; 170 mOhm
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]