Fiche technique
100 V V(BR)CEO
8 A IC
Up to 12.000 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
PNP - Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Catégorie composants COTS: Discrete
Fiche technique
150 V; 48A; 6mΩ
- Sous catégorie
- GaN FET
- Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
150V; 7.2mΩ; 100A
- Sous catégorie
- N CHANNEL MOSFET
- Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
120V; 11.1mΩ; 70A
- Sous catégorie
- N CHANNEL MOSFET
- Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
150 V V(BR)CEO
2 A IC
Up to 180 hFE
- Sous catégorie
- General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
- Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
300 V V(BR)CEO
0.5 A IC
Up to 240 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
NPN - Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
300 V V(BR)CEO
0.5 A IC
Up to 240 hFE
- Sous catégorie
- Darlington Transistors
PNP - Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]